Wayon Super Junction MOSFET 600V

1.Part No.：WMO08N60PC4

2.Description：N-Channel SJ-MOS PC4

3.Package：TO-252

4.VDS (V)：600

5.RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：0.91

6.ID (A) @TA=25℃：5

7.PD (W) @TA=25℃：38

8.VGS (V)：20

9.VGS(th) (V) (Typ.)：3

10. Datasheet

12V-100V Trench P Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMO32P15TB

2.Package：TO-252

3.VDS(V)：-150

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：-31

6.VGS(th)(V)(Typ.)：-3

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：95

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：/

9. Datasheet