Wayon Super Junction MOSFET ＞900V

1.Part No.：WMM90R160S

2.Description：N-Channel SJ-MOS S

3.Package：TO-263

4.VDS (V)：900

5.RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：0.18

6.ID (A) @TA=25℃：24

7.PD (W) @TA=25℃：250

8.VGS (V)：30

9.VGS(th) (V) (Typ.)：3.5

12V-100V Trench P Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMM80P04TS

2.Package：TO-263

3.VDS(V)：-40

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：-80

6.VGS(th)(V)(Typ.)：-1.6

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：8.5

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：11