Wayon Super Junction MOSFET 500&550V

1.Part No.：WMJ28N50C4

2.Description：N-Channel SJ-MOS C4

3.Package：TO-247

4.VDS (V)：500

5.RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：0.125

6.ID (A) @TA=25℃：28

7.PD (W) @TA=25℃：160

8.VGS (V)：30

9.VGS(th) (V) (Typ.)：3

10. Datasheet

12V-100V Trench P Channel Power MOSFET

1.Part No.：WM02P160R

2.Package：DFN2*2-6L

3.VDS(V)：-20

4.Vgs Max(V)：±10

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：-16

6.VGS(th)(V)(Typ.)：-0.6

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：/

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：17

9. Datasheet